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Si4230DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
30
V GS = 10 thr u 4 V
5
24
1 8
12
6
V GS = 3 V
4
3
2
1
T C = 25 °C
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.024
0.022
0.020
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
1200
960
720
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.01 8
0.016
0.014
V GS = 10 V
4 8 0
240
0
C oss
C rss
0
6
12
1 8
24
30
0
5
10
15
20
25
30
10
8
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 8 A
1. 8
1.6
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 8 A
6
V DS = 10 V
V DS = 15 V
1.4
1.2
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
4
2
0
V DS = 20 V
1.0
0. 8
0.6
0.0
3.6
7.2
10. 8
14.4
1 8 .0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 68983
S-82660-Rev. A, 03-Nov-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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